核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
1期
50-53
,共4页
张明%王仁仲%杨元第%陈靖
張明%王仁仲%楊元第%陳靖
장명%왕인중%양원제%진정
Geant4程序%井型NaI(Tl)晶体探测器%探测效率
Geant4程序%井型NaI(Tl)晶體探測器%探測效率
Geant4정서%정형NaI(Tl)정체탐측기%탐측효솔
利用Geant4数值计算程序,对放射源137Cs和60Co发射的单能γ射线(0.662 MeV和1.331MeV)经过井型NaI(Tl)晶体探测器后的能谱进行了蒙特卡罗模拟,并通过改变放射源在井型NaI(Tl)晶体中的位置对探测效率的影响做了进一步的研究.计算结果表明:对比常用的圆柱形NaI(Tl)闪烁探测器,由于井型NaI(Tl)晶体对放射源所张立体角很大,所以其对γ射线的源峰探测效率更高,并随着放射源在井内高度的增加而逐渐减小；在固定了放射源在晶体井下深度的情况下,放射源位置在水平面内的变化对源峰探测效率的影响并不大.
利用Geant4數值計算程序,對放射源137Cs和60Co髮射的單能γ射線(0.662 MeV和1.331MeV)經過井型NaI(Tl)晶體探測器後的能譜進行瞭矇特卡囉模擬,併通過改變放射源在井型NaI(Tl)晶體中的位置對探測效率的影響做瞭進一步的研究.計算結果錶明:對比常用的圓柱形NaI(Tl)閃爍探測器,由于井型NaI(Tl)晶體對放射源所張立體角很大,所以其對γ射線的源峰探測效率更高,併隨著放射源在井內高度的增加而逐漸減小；在固定瞭放射源在晶體井下深度的情況下,放射源位置在水平麵內的變化對源峰探測效率的影響併不大.
이용Geant4수치계산정서,대방사원137Cs화60Co발사적단능γ사선(0.662 MeV화1.331MeV)경과정형NaI(Tl)정체탐측기후적능보진행료몽특잡라모의,병통과개변방사원재정형NaI(Tl)정체중적위치대탐측효솔적영향주료진일보적연구.계산결과표명:대비상용적원주형NaI(Tl)섬삭탐측기,유우정형NaI(Tl)정체대방사원소장입체각흔대,소이기대γ사선적원봉탐측효솔경고,병수착방사원재정내고도적증가이축점감소；재고정료방사원재정체정하심도적정황하,방사원위치재수평면내적변화대원봉탐측효솔적영향병불대.
