电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
2期
208-211
,共4页
绝缘衬底上的硅%静电放电%栅控二极管%人体放电模型
絕緣襯底上的硅%靜電放電%柵控二極管%人體放電模型
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为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验.通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响,我们发现综合考虑这些因素,就能够在SOI技术上获得良好的抗ESD性能.
為瞭解決SOI技術的ESD問題,我們設計瞭一種適用于部分耗儘SOI的柵控二極管結構的ESD保護電路,併進行瞭ESD實驗.通過實驗研究瞭SOI頂層硅膜厚度、柵控二極管的溝道長度和溝道寬度,限流電阻以及電火花隙等因素對保護電路抗ESD性能的影響,我們髮現綜閤攷慮這些因素,就能夠在SOI技術上穫得良好的抗ESD性能.
위료해결SOI기술적ESD문제,아문설계료일충괄용우부분모진SOI적책공이겁관결구적ESD보호전로,병진행료ESD실험.통과실험연구료SOI정층규막후도、책공이겁관적구도장도화구도관도,한류전조이급전화화극등인소대보호전로항ESD성능적영향,아문발현종합고필저사인소,취능구재SOI기술상획득량호적항ESD성능.
