固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
2期
215-218
,共4页
于梅芳%巫艳%陈路%乔怡敏%杨建荣%何力
于梅芳%巫豔%陳路%喬怡敏%楊建榮%何力
우매방%무염%진로%교이민%양건영%하력
分子束外延%碲镉汞%位错密度
分子束外延%碲鎘汞%位錯密度
분자속외연%제력홍%위착밀도
报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.研究发现HgCdTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、HgCdTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波HgCdTe材料EPD平均值达到4.2×105 cm-2,标准差为3.5×105 cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%.可以满足高性能HgCdTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.
報道瞭用MBE的方法,在ZnCdTe襯底上製備HgCdTe薄膜的位錯密度研究結果.研究髮現HgCdTe材料的位錯密度與ZnCdTe襯底的錶麵晶體損傷、HgCdTe生長條件以及材料組分密切相關.通過襯底製備以及生長條件的優化,在ZnCdTe襯底上生長的長波HgCdTe材料EPD平均值達到4.2×105 cm-2,標準差為3.5×105 cm-2,接近ZnCdTe襯底的位錯極限.可重複性良好,材料位錯閤格率為73.7%.可以滿足高性能HgCdTe焦平麵探測器對材料位錯密度的要求.
보도료용MBE적방법,재ZnCdTe츤저상제비HgCdTe박막적위착밀도연구결과.연구발현HgCdTe재료적위착밀도여ZnCdTe츤저적표면정체손상、HgCdTe생장조건이급재료조분밀절상관.통과츤저제비이급생장조건적우화,재ZnCdTe츤저상생장적장파HgCdTe재료EPD평균치체도4.2×105 cm-2,표준차위3.5×105 cm-2,접근ZnCdTe츤저적위착겁한.가중복성량호,재료위착합격솔위73.7%.가이만족고성능HgCdTe초평면탐측기대재료위착밀도적요구.
