半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
721-725
,共5页
何作鹏%季振国%杜娟%王玮%范镓%叶志镇
何作鵬%季振國%杜娟%王瑋%範鎵%葉誌鎮
하작붕%계진국%두연%왕위%범가%협지진
氧化镍%日盲%紫外探测%能带调节
氧化鎳%日盲%紫外探測%能帶調節
양화얼%일맹%자외탐측%능대조절
利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体;紫外-可见吸收谱结果表明,MgxN1-xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变,当Mg含量x在0.2～0.3之间时,薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性,光照前后薄膜电阻变化率达40%,因此,我们可以认为MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测.
利用溶膠-凝膠提拉法在石英玻璃襯底上製備齣吸收邊波長位于地毬錶麵太暘光譜日盲區(240～280nm)內的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD結果顯示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方結構的固溶體;紫外-可見吸收譜結果錶明,MgxN1-xO吸收邊隨著Mg含量的變化而髮生改變,噹Mg含量x在0.2～0.3之間時,薄膜的吸收邊波長在248～276nm範圍內可調;光電響應測試結果錶明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)對太暘光不敏感,而對波長為254nm的紫外光具有很好的光電導特性,光照前後薄膜電阻變化率達40%,因此,我們可以認為MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)薄膜材料有望應用于日盲區的紫外探測.
이용용효-응효제랍법재석영파리츤저상제비출흡수변파장위우지구표면태양광보일맹구(240～280nm)내적MgxNi1-xO박막.XPS화XRD결과현시,MgxNi1-xO재1000℃하형성구유립방결구적고용체;자외-가견흡수보결과표명,MgxN1-xO흡수변수착Mg함량적변화이발생개변,당Mg함량x재0.2～0.3지간시,박막적흡수변파장재248～276nm범위내가조;광전향응측시결과표명,MgxNi1-xO박막(x=0.3)대태양광불민감,이대파장위254nm적자외광구유흔호적광전도특성,광조전후박막전조변화솔체40%,인차,아문가이인위MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)박막재료유망응용우일맹구적자외탐측.
