半导体功率放大激光器耦合效率的研究
반도체공솔방대격광기우합효솔적연구
Study on the Coupling of Laser with Semiconductor Power Amplification
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2006年 10期 938-939 ,共2页

    杨琏%杨晓妍%朱明方%刘丹%王征宇%李松柏%王安锋%博报学%任大翠

    양련%양효연%주명방%류단%왕정우%리송백%왕안봉%박보학%임대취

    半导体功率放大%耦合效率%减反射膜 半導體功率放大%耦閤效率%減反射膜
    반도체공솔방대%우합효솔%감반사막
    通过对波长808nm的GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命.
    통과대파장808nm적GaAlAs/GaAs반도체공솔방대격광기단면도SiO감반사막공예과정,종이론화실험상분석료기도층특성,투사솔유무막시적69%화32.6%제고도도막후적90%화80%이상,제고기건적우합효솔、수출광공솔화공작수명.
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