功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
1期
73-77
,共5页
李瑞贞%李多力%杜寰%海潮和%韩郑生
李瑞貞%李多力%杜寰%海潮和%韓鄭生
리서정%리다력%두환%해조화%한정생
全耗尽SOI MOSFET%阈值电压%模型
全耗儘SOI MOSFET%閾值電壓%模型
전모진SOI MOSFET%역치전압%모형
提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.
提齣瞭一種簡化的全耗儘SOI MOSFET閾值電壓解析模型.該模型物理意義明確,形式簡單,不需要非常複雜的計算.通過在不同條件下將本文的模擬結果和MEDICI模擬結果進行對比,驗證瞭本模型的精確性.因此本模型對于器件物理特性的研究和工藝設計有很好的指導意義.
제출료일충간화적전모진SOI MOSFET역치전압해석모형.해모형물리의의명학,형식간단,불수요비상복잡적계산.통과재불동조건하장본문적모의결과화MEDICI모의결과진행대비,험증료본모형적정학성.인차본모형대우기건물리특성적연구화공예설계유흔호적지도의의.
