半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
5期
374-377
,共4页
赵超荣%杜寰%刘梦新%韩郑生
趙超榮%杜寰%劉夢新%韓鄭生
조초영%두환%류몽신%한정생
铜互连%阻挡层材料%电化学镀铜%化学机械抛光
銅互連%阻擋層材料%電化學鍍銅%化學機械拋光
동호련%조당층재료%전화학도동%화학궤계포광
低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状.对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论.
低介電常數材料和低電阻率金屬的使用可以有效地降低互連線引起的延時.Cu因其具有比Al及Al閤金更低的電阻率和更高的抗電遷移能力而成為新一代互連材料.論述瞭Cu互連技術的工藝過程及其研究髮展現狀.對Cu互連技術中的阻擋層材料、電化學鍍Cu技術以及化學機械拋光技術等一繫列關鍵工藝技術進行繫統的分析和討論.
저개전상수재료화저전조솔금속적사용가이유효지강저호련선인기적연시.Cu인기구유비Al급Al합금경저적전조솔화경고적항전천이능력이성위신일대호련재료.논술료Cu호련기술적공예과정급기연구발전현상.대Cu호련기술중적조당층재료、전화학도Cu기술이급화학궤계포광기술등일계렬관건공예기술진행계통적분석화토론.
