功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
5期
927-930
,共4页
蔡小五%海潮和%王立新%陆江%刘刚%夏洋
蔡小五%海潮和%王立新%陸江%劉剛%夏洋
채소오%해조화%왕립신%륙강%류강%하양
VDMOS%辐照%氧化物陷阱电荷%界面态电荷
VDMOS%輻照%氧化物陷阱電荷%界麵態電荷
VDMOS%복조%양화물함정전하%계면태전하
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
為研究Power VDMOS中輻照引起的氧化物陷阱電荷和界麵態電荷情況,用Co-60源對Pow-er MOSFET進行瞭總劑量的輻照實驗,移位測試瞭器件的亞閾值麯線漂移情況,通過最大斜率線性外推法和亞閾值分離方法提取瞭開啟電壓、增益因子、遷移率、氧化物陷阱電荷和界麵態電荷隨輻照總劑量的漂移情況.研究結果錶明:在1000krad(Si)輻照下器件開啟電壓漂移小于2V,遷移率退化小于20%,氧化物陷阱電荷和界麵態電荷處于比較理想的狀態,小于2×1011cm-2.
위연구Power VDMOS중복조인기적양화물함정전하화계면태전하정황,용Co-60원대Pow-er MOSFET진행료총제량적복조실험,이위측시료기건적아역치곡선표이정황,통과최대사솔선성외추법화아역치분리방법제취료개계전압、증익인자、천이솔、양화물함정전하화계면태전하수복조총제량적표이정황.연구결과표명:재1000krad(Si)복조하기건개계전압표이소우2V,천이솔퇴화소우20%,양화물함정전하화계면태전하처우비교이상적상태,소우2×1011cm-2.
