中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
2期
137-139
,共3页
柏松%陈刚%吴鹏%李哲洋%郑惟彬%钱峰
柏鬆%陳剛%吳鵬%李哲洋%鄭惟彬%錢峰
백송%진강%오붕%리철양%정유빈%전봉
SiC MESFET%微波功率%宽带%MMIC
SiC MESFET%微波功率%寬帶%MMIC
SiC MESFET%미파공솔%관대%MMIC
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究.研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20 mm栅宽器件在2 GHz脉冲输出功率达100 W.将四个20 mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320 W,增益8.6 dB.在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4 GHz频带内小信号增益大于10 dB,脉冲输出功率最大超过10 W.
利用本實驗室生長的4H-SiC外延材料開展瞭SiC MESFET和MMIC的工藝技術研究.研製的SiC MESFET採用柵場闆結構,顯示齣優異的脈遲功率特性,20 mm柵寬器件在2 GHz脈遲輸齣功率達100 W.將四箇20 mm柵寬的SiC MESFET芯片通過內匹配技術進行功率閤成,閤成器件的脈遲功率超過320 W,增益8.6 dB.在實現SiC襯底減薄和通孔技術的基礎上,設計併研製瞭國內第一片SiC微波功率MMIC,在2～4 GHz頻帶內小信號增益大于10 dB,脈遲輸齣功率最大超過10 W.
이용본실험실생장적4H-SiC외연재료개전료SiC MESFET화MMIC적공예기술연구.연제적SiC MESFET채용책장판결구,현시출우이적맥충공솔특성,20 mm책관기건재2 GHz맥충수출공솔체100 W.장사개20 mm책관적SiC MESFET심편통과내필배기술진행공솔합성,합성기건적맥충공솔초과320 W,증익8.6 dB.재실현SiC츤저감박화통공기술적기출상,설계병연제료국내제일편SiC미파공솔MMIC,재2～4 GHz빈대내소신호증익대우10 dB,맥충수출공솔최대초과10 W.
