郑州大学学报（理学版）
鄭州大學學報（理學版）
정주대학학보（이학판）
JOURNAL OF ZHENGZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
4期
56-61,66
,共7页
μc-Si:H薄膜%气相反应%数值模拟
μc-Si:H薄膜%氣相反應%數值模擬
μc-Si:H박막%기상반응%수치모의
以SiH4和H2为反应气源,建立了等离子体增强化学气相沉积法制备氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的气相反应模型,模拟了硅烷浓度、等离子体参数(如电子温度Te和电子密度ne)等对气相反应的影响.结果表明:SiH3是μc-Si:H薄膜的主要沉积前驱物；随着硅烷浓度增大,等离子体中SiH3等前驱物的浓度增大,而H原子的浓度快速下降,二者的浓度比(H/SiH3)随之降低；随着Te和ne的增大,H原子的浓度单调升高,SiH3等前驱物的浓度先增大然后趋于饱和,H/SiH3比值增大.
以SiH4和H2為反應氣源,建立瞭等離子體增彊化學氣相沉積法製備氫化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的氣相反應模型,模擬瞭硅烷濃度、等離子體參數(如電子溫度Te和電子密度ne)等對氣相反應的影響.結果錶明:SiH3是μc-Si:H薄膜的主要沉積前驅物；隨著硅烷濃度增大,等離子體中SiH3等前驅物的濃度增大,而H原子的濃度快速下降,二者的濃度比(H/SiH3)隨之降低；隨著Te和ne的增大,H原子的濃度單調升高,SiH3等前驅物的濃度先增大然後趨于飽和,H/SiH3比值增大.
이SiH4화H2위반응기원,건립료등리자체증강화학기상침적법제비경화미정규(μc-Si:H)박막적기상반응모형,모의료규완농도、등리자체삼수(여전자온도Te화전자밀도ne)등대기상반응적영향.결과표명:SiH3시μc-Si:H박막적주요침적전구물；수착규완농도증대,등리자체중SiH3등전구물적농도증대,이H원자적농도쾌속하강,이자적농도비(H/SiH3)수지강저；수착Te화ne적증대,H원자적농도단조승고,SiH3등전구물적농도선증대연후추우포화,H/SiH3비치증대.
