微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
4期
263-267,279
,共6页
杜妙璇%耿文平%丑修建%张文栋
杜妙璇%耿文平%醜脩建%張文棟
두묘선%경문평%축수건%장문동
溶胶-凝胶%反铁电厚膜%退火工艺%微观结构%电学特性
溶膠-凝膠%反鐵電厚膜%退火工藝%微觀結構%電學特性
용효-응효%반철전후막%퇴화공예%미관결구%전학특성
采用溶胶-凝胶技术,在Pt (111) /Ti/SiO2/Si (100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响.结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42 μC/cm2).其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量.
採用溶膠-凝膠技術,在Pt (111) /Ti/SiO2/Si (100)基底上製備Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反鐵電厚膜材料,研究瞭單步和多步退火工藝對反鐵電厚膜結構及電學性能的影響.結果錶明:與傳統的單步退火方式相比,多步退火工藝製備的反鐵電厚膜材料晶粒呎吋較大,結構緻密性好,室溫下反鐵電態更穩定,具有良好的擇優取嚮度(100)、較高的介電常數(達529)和飽和極化彊度(達42 μC/cm2).其反鐵電-鐵電和鐵電-反鐵電的相變電場彊度分彆為198和89 kV/cm,反鐵電-鐵電相變電流密度達2×10-5 A/cm2,多次退火工藝可提高反鐵電厚膜的成膜質量.
채용용효-응효기술,재Pt (111) /Ti/SiO2/Si (100)기저상제비Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3반철전후막재료,연구료단보화다보퇴화공예대반철전후막결구급전학성능적영향.결과표명:여전통적단보퇴화방식상비,다보퇴화공예제비적반철전후막재료정립척촌교대,결구치밀성호,실온하반철전태경은정,구유량호적택우취향도(100)、교고적개전상수(체529)화포화겁화강도(체42 μC/cm2).기반철전-철전화철전-반철전적상변전장강도분별위198화89 kV/cm,반철전-철전상변전류밀도체2×10-5 A/cm2,다차퇴화공예가제고반철전후막적성막질량.
