功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2012年
3期
255-261
,共7页
石培培%严启荣%李述体%章勇
石培培%嚴啟榮%李述體%章勇
석배배%엄계영%리술체%장용
n-AlGaN%p-AlGaN%混合量子阱%双蓝光波长%显色指数
n-AlGaN%p-AlGaN%混閤量子阱%雙藍光波長%顯色指數
n-AlGaN%p-AlGaN%혼합양자정%쌍람광파장%현색지수
在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p- AlGaN电子阻挡层和反对称n - AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED).结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n- AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性.此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75.
在(0001)藍寶石襯底上利用金屬有機化學氣相沉積繫統,分彆生長含有p- AlGaN電子阻擋層和反對稱n - AlGaN層的雙藍光波長髮射的InGaN/GaN混閤多量子阱髮光二極管(LED).結果髮現,與傳統的具有p-AlGaN電子阻擋層的雙藍光波長LED相比,這種n- AlGaN層能有效改善電子和空穴在混閤多量子阱活性層中的分佈均勻性和減少電子溢齣,併減弱雙藍光髮射光譜對電流的依賴性.此外,基于這種雙藍光波長髮射的芯片與YAG:Ce熒光粉封裝成白光LED能實現高顯色性的白光髮射,在20 mA電流驅動下,6500 K色溫時顯色指數達到91,而基于單藍光芯片的白光LED顯色指數隻有75.
재(0001)람보석츤저상이용금속유궤화학기상침적계통,분별생장함유p- AlGaN전자조당층화반대칭n - AlGaN층적쌍람광파장발사적InGaN/GaN혼합다양자정발광이겁관(LED).결과발현,여전통적구유p-AlGaN전자조당층적쌍람광파장LED상비,저충n- AlGaN층능유효개선전자화공혈재혼합다양자정활성층중적분포균균성화감소전자일출,병감약쌍람광발사광보대전류적의뢰성.차외,기우저충쌍람광파장발사적심편여YAG:Ce형광분봉장성백광LED능실현고현색성적백광발사,재20 mA전류구동하,6500 K색온시현색지수체도91,이기우단람광심편적백광LED현색지수지유75.
