材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
16期
1-4
,共4页
卢盛辉%杨洪东%李竞春%谭开州%张静
盧盛輝%楊洪東%李競春%譚開州%張靜
로성휘%양홍동%리경춘%담개주%장정
局部双轴应变%应变锗硅%特别几何结构%材料生长
跼部雙軸應變%應變鍺硅%特彆幾何結構%材料生長
국부쌍축응변%응변타규%특별궤하결구%재료생장
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构.采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料.经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×10.cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制.测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考.
通過控製跼部雙軸壓應變SiGe材料的缺陷、組分與厚度,設置瞭多晶Si側壁與Si緩遲層的特彆幾何結構.採用固態源分子束外延MBE設備生長瞭適于PMOSFET器件的跼部雙軸壓應變Si0.8Ge0.2材料.經SEM、AFM、XRD測試分析,該材料錶麵粗糙度達0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge組分x=0.188,厚度為37.8nm,與設計值較接近;穿透位錯主要由側壁界麵產生,集中在窗口邊緣,密度為(0.3～1.2)×10.cm-2;在錶麵未髮現十字交扠網格,且Si0.8Ge0.2衍射峰兩側榦涉條紋清晰,說明Si0.8Ge0.2與Si緩遲層界麵失配位錯已被有效抑製.測試分析結果錶明,生長的跼部雙軸壓應變SiGe材料質量較高,可用于高性能SiGe PMOSFET的製備與工藝參攷.
통과공제국부쌍축압응변SiGe재료적결함、조분여후도,설치료다정Si측벽여Si완충층적특별궤하결구.채용고태원분자속외연MBE설비생장료괄우PMOSFET기건적국부쌍축압응변Si0.8Ge0.2재료.경SEM、AFM、XRD측시분석,해재료표면조조도체0.45nm;Si1-xGex박막중Ge조분x=0.188,후도위37.8nm,여설계치교접근;천투위착주요유측벽계면산생,집중재창구변연,밀도위(0.3～1.2)×10.cm-2;재표면미발현십자교차망격,차Si0.8Ge0.2연사봉량측간섭조문청석,설명Si0.8Ge0.2여Si완충층계면실배위착이피유효억제.측시분석결과표명,생장적국부쌍축압응변SiGe재료질량교고,가용우고성능SiGe PMOSFET적제비여공예삼고.
