稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2010年
7期
1265-1269
,共5页
钛基SnO2+SbOx固溶体%生长活化能%作用机制
鈦基SnO2+SbOx固溶體%生長活化能%作用機製
태기SnO2+SbOx고용체%생장활화능%작용궤제
采用热分解法制备SnO2+SbOx钛基氧化物电极,利用TG/DTA、XRD和XPS等手段对SnO2+SbOx固溶体进行表征,计算SnO2+SbOx固溶体的生长活化能,并探讨SnO2+SbOx固溶体的作用机制,同时采用快速寿命法考察氧化物电极在0.5 mol/L H2SO4溶液中2 A/cm2下的预期使用寿命.结果表明: Sb掺杂SnO2形成的N型半导体和P型半导体产生的自由电子和氧空位使得电极导电性增强,预期使用寿命增加为30 h,晶粒表面氧空位的存在和非常低的晶间旋转驱动力是导致SnO2+SbOx固溶体的生长活化能降低为12.63 kJ/mol的主要原因.因此,Sb掺杂SnO2形成的电极固溶体是一种导电性好和稳定性高的电极材料.
採用熱分解法製備SnO2+SbOx鈦基氧化物電極,利用TG/DTA、XRD和XPS等手段對SnO2+SbOx固溶體進行錶徵,計算SnO2+SbOx固溶體的生長活化能,併探討SnO2+SbOx固溶體的作用機製,同時採用快速壽命法攷察氧化物電極在0.5 mol/L H2SO4溶液中2 A/cm2下的預期使用壽命.結果錶明: Sb摻雜SnO2形成的N型半導體和P型半導體產生的自由電子和氧空位使得電極導電性增彊,預期使用壽命增加為30 h,晶粒錶麵氧空位的存在和非常低的晶間鏇轉驅動力是導緻SnO2+SbOx固溶體的生長活化能降低為12.63 kJ/mol的主要原因.因此,Sb摻雜SnO2形成的電極固溶體是一種導電性好和穩定性高的電極材料.
채용열분해법제비SnO2+SbOx태기양화물전겁,이용TG/DTA、XRD화XPS등수단대SnO2+SbOx고용체진행표정,계산SnO2+SbOx고용체적생장활화능,병탐토SnO2+SbOx고용체적작용궤제,동시채용쾌속수명법고찰양화물전겁재0.5 mol/L H2SO4용액중2 A/cm2하적예기사용수명.결과표명: Sb참잡SnO2형성적N형반도체화P형반도체산생적자유전자화양공위사득전겁도전성증강,예기사용수명증가위30 h,정립표면양공위적존재화비상저적정간선전구동력시도치SnO2+SbOx고용체적생장활화능강저위12.63 kJ/mol적주요원인.인차,Sb참잡SnO2형성적전겁고용체시일충도전성호화은정성고적전겁재료.
