功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2009年
6期
1033-1035
,共3页
曹得财%王六定%陈国栋%安博%梁锦奎%丁富才
曹得財%王六定%陳國棟%安博%樑錦奎%丁富纔
조득재%왕륙정%진국동%안박%량금규%정부재
碳纳米管%双掺杂%场发射
碳納米管%雙摻雜%場髮射
탄납미관%쌍참잡%장발사
采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能.结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动.电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局城化.根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射.
採用第一性原理的密度汎函理論(DFT)研究瞭(5,5)碳納米管(CNT)頂耑硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素雙摻雜體繫的電子場髮射性能.結果錶明,在外電場下,各種雙摻雜CNT帽耑態密度(DOS)嚮價帶移動.電子軌道分佈變化顯著,電荷分佈明顯跼城化.根據電子態密度、差分電荷密度、最高分子佔據軌道(HOMO)/最低分子非佔據軌道(LUMO)分佈等計算結果可預期Si雙摻雜後更有利于場緻電子髮射.
채용제일성원리적밀도범함이론(DFT)연구료(5,5)탄납미관(CNT)정단붕(B)、담(N)、규(Si)등원소쌍참잡체계적전자장발사성능.결과표명,재외전장하,각충쌍참잡CNT모단태밀도(DOS)향개대이동.전자궤도분포변화현저,전하분포명현국성화.근거전자태밀도、차분전하밀도、최고분자점거궤도(HOMO)/최저분자비점거궤도(LUMO)분포등계산결과가예기Si쌍참잡후경유리우장치전자발사.
