中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2009年
2期
13-16
,共4页
田波%亢宝位%吴郁%韩峰
田波%亢寶位%吳鬱%韓峰
전파%항보위%오욱%한봉
半导体器件%工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
半導體器件%工藝參數/金屬-氧化物-半導體場效應晶體管
반도체기건%공예삼수/금속-양화물-반도체장효응정체관
新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较.结果证明,该结构具有最低的开关功耗,即QG最小,在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说,QG的改善分别可达到86.3%和13.4%.
新結構溝槽柵E-JFET的特點是在柵極下隱埋跼域氧化層,以降低柵電容,從而改善器件的開關速度,尤其是適用于低壓高頻領域.通過理論及倣真分析,與無隱埋氧化層的溝槽柵MOSFET以及溝槽柵E-JFET進行瞭性能比較.結果證明,該結構具有最低的開關功耗,即QG最小,在相同條件下相對于溝槽柵MOSFET和溝槽柵E-JFET來說,QG的改善分彆可達到86.3%和13.4%.
신결구구조책E-JFET적특점시재책겁하은매국역양화층,이강저책전용,종이개선기건적개관속도,우기시괄용우저압고빈영역.통과이론급방진분석,여무은매양화층적구조책MOSFET이급구조책E-JFET진행료성능비교.결과증명,해결구구유최저적개관공모,즉QG최소,재상동조건하상대우구조책MOSFET화구조책E-JFET래설,QG적개선분별가체도86.3%화13.4%.
