利用压印技术制备大面积相变材料阵列
이용압인기술제비대면적상변재료진렬
Fabrication of Phase Change Materials large Area Array by Using UV Imprint Lithography
  • 万方数据
    微细加工技术 미세가공기술
    MICROFABRICATION TECHNOLOGY
    2008年 5期 5-8 ,共4页

    刘彦伯%钮晓鸣%宋志棠%闵国全%万永中%张静%周伟民%李小丽%张挺%张剑平

    류언백%뉴효명%송지당%민국전%만영중%장정%주위민%리소려%장정%장검평

    UV-L%SST阵列%PCRAM%存储单元 UV-L%SST陣列%PCRAM%存儲單元
    UV-L%SST진렬%PCRAM%존저단원
    采用高效、低成本的紫外压印技术(UV-IL)在2 in.Si/SiO2基 Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8 M/In2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,I-V特性表明,阈值电压为1.18 V.此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃-300℃之间.
    채용고효、저성본적자외압인기술(UV-IL)재2 in.Si/SiO2기 Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)다층막표면제비료밀도위3.8 M/In2적AMONIL점진결구,병통과반응리자각식득도상변재료SST진렬;전조여맥충관도특성측득SST기PCRAM존저단원SET/RESET전조치변화약30배,I-V특성표명,역치전압위1.18 V.차외,시간분변XRD원위가열정황하SST박막결구변화설명,SST재료적상변발생재200℃-300℃지간.
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