光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
11期
1490-1492
,共3页
梁秀萍%冯秋菊%张贺秋%田怡春%张红治%孙晓娟%胡礼中
樑秀萍%馮鞦菊%張賀鞦%田怡春%張紅治%孫曉娟%鬍禮中
량수평%풍추국%장하추%전이춘%장홍치%손효연%호례중
液相外延%微探尖%湿法刻蚀%扫描近场光学显微术
液相外延%微探尖%濕法刻蝕%掃描近場光學顯微術
액상외연%미탐첨%습법각식%소묘근장광학현미술
介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术.通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaA微探尖.在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来.扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑凡转移过程无损伤.这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复,表面光滑、适合批量生产的优点.
介紹一種用于掃描近場光學顯微術(NSOM)傳感頭的GaAs微探尖的生長剝離技術.通過SiO2掩膜窗口,利用一次選擇液相外延製備週期性陣列的GaA微探尖.在GaAs襯底與GaAs微探尖之間引入AlGaAs層,併對窗口大小的AlGaAs層進行選擇腐蝕,將單箇GaAs微探尖從GaAs襯底上剝離下來.掃描電子顯微鏡顯示的結果錶明,此微探尖具有金字塔結構、錶麵光滑凡轉移過程無損傷.這種技術製備的GaAs微探尖的形貌與質量主要由晶體的結構決定,具有可重複,錶麵光滑、適閤批量生產的優點.
개소일충용우소묘근장광학현미술(NSOM)전감두적GaAs미탐첨적생장박리기술.통과SiO2엄막창구,이용일차선택액상외연제비주기성진렬적GaA미탐첨.재GaAs츤저여GaAs미탐첨지간인입AlGaAs층,병대창구대소적AlGaAs층진행선택부식,장단개GaAs미탐첨종GaAs츤저상박리하래.소묘전자현미경현시적결과표명,차미탐첨구유금자탑결구、표면광활범전이과정무손상.저충기술제비적GaAs미탐첨적형모여질량주요유정체적결구결정,구유가중복,표면광활、괄합비량생산적우점.
