材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2008年
9期
11-14
,共4页
牛新书%魏平涛%王雪丽%茹祥莉%陈晓丽
牛新書%魏平濤%王雪麗%茹祥莉%陳曉麗
우신서%위평도%왕설려%여상리%진효려
In2O3掺杂%气敏性%机理
In2O3摻雜%氣敏性%機理
In2O3참잡%기민성%궤리
较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.
較為詳儘地論述瞭n型半導體材料In2O3的摻雜情況,併就不同金屬氧化物摻雜引起的氣敏性能作瞭簡單的分析,髮現不同的金屬氧化物摻雜對NO2、O3及一些還原性氣體的靈敏度有不同程度的提高,改善瞭In2O3的氣敏性能,同時還探討瞭In2O3對不同氣體(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感機理.
교위상진지논술료n형반도체재료In2O3적참잡정황,병취불동금속양화물참잡인기적기민성능작료간단적분석,발현불동적금속양화물참잡대NO2、O3급일사환원성기체적령민도유불동정도적제고,개선료In2O3적기민성능,동시환탐토료In2O3대불동기체(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)적민감궤리.
