电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
5期
28-31
,共4页
赵毅%江一杭%石韦%李丽华%朱建国
趙毅%江一杭%石韋%李麗華%硃建國
조의%강일항%석위%리려화%주건국
无机非金属材料%居里温度%钙钛矿结构%压电陶瓷
無機非金屬材料%居裏溫度%鈣鈦礦結構%壓電陶瓷
무궤비금속재료%거리온도%개태광결구%압전도자
把BiGaO3作为第三组元引入BiScO3-PbTiO3 (BS-PT)体系,用氧化物合成法制备了0.155BiGaO3-(0.845-x)BiScO3-xPbTiO3 (BGSPTx,x为0.54~0.58)压电陶瓷.XRD分析表明,BGSPTx具有钙钛矿结构,但同时存在微量的富铋相.三方–四方准同型相界(MPB)位于x为0.56附近.在MPB附近,BGSPTx陶瓷的d33,kp和Pr都达到最大值,分别为180 pC/N,30%和18.5×10-6 C/cm2.εr-t特性曲线测试表明,陶瓷在MPB附近居里温度tC高达494 ℃.
把BiGaO3作為第三組元引入BiScO3-PbTiO3 (BS-PT)體繫,用氧化物閤成法製備瞭0.155BiGaO3-(0.845-x)BiScO3-xPbTiO3 (BGSPTx,x為0.54~0.58)壓電陶瓷.XRD分析錶明,BGSPTx具有鈣鈦礦結構,但同時存在微量的富鉍相.三方–四方準同型相界(MPB)位于x為0.56附近.在MPB附近,BGSPTx陶瓷的d33,kp和Pr都達到最大值,分彆為180 pC/N,30%和18.5×10-6 C/cm2.εr-t特性麯線測試錶明,陶瓷在MPB附近居裏溫度tC高達494 ℃.
파BiGaO3작위제삼조원인입BiScO3-PbTiO3 (BS-PT)체계,용양화물합성법제비료0.155BiGaO3-(0.845-x)BiScO3-xPbTiO3 (BGSPTx,x위0.54~0.58)압전도자.XRD분석표명,BGSPTx구유개태광결구,단동시존재미량적부필상.삼방–사방준동형상계(MPB)위우x위0.56부근.재MPB부근,BGSPTx도자적d33,kp화Pr도체도최대치,분별위180 pC/N,30%화18.5×10-6 C/cm2.εr-t특성곡선측시표명,도자재MPB부근거리온도tC고체494 ℃.
