成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
성핵층퇴화압력대형성고조GaN적작용
Effects of Annealing Pressure of Nucleation Layer on High-Resistivity GaN
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 127-129 ,共3页

    许谏%沈波%许福军%苗振林%王茂俊%黄森%鲁麟%潘尧波%杨志坚%张国义

    허간%침파%허복군%묘진림%왕무준%황삼%로린%반요파%양지견%장국의

    刃型位错%MOCVD%高阻GaN 刃型位錯%MOCVD%高阻GaN
    인형위착%MOCVD%고조GaN
    采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.
    채용료MOCVD생장기술래획득고조GaN,발현GaN적방괴전조회수착성핵층퇴화압력적강저이신속승고.당성핵층퇴화압력강도75torr시,형성료고조GaN,방괴전조체도1011Ω/□이상.원자력현미경결과현시고조GaN적표면비상평정,표면조조도지유0.15nm.재위격광검측발현고조양품적성핵층경과퇴화후회형성밀도교고적성핵도.양품적X사선분석결과표명,수착퇴화압력적개변,인형위착상대우라형위착회유교대변화.설명인형위착시GaN전조변화적주요원인.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문