武汉大学学报（理学版）
武漢大學學報（理學版）
무한대학학보（이학판）
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2007年
5期
585-588
,共4页
李辉%柯君玉%庞锦标%汪兵%戴益群%王柱
李輝%柯君玉%龐錦標%汪兵%戴益群%王柱
리휘%가군옥%방금표%왕병%대익군%왕주
砷化镓%正电子寿命%电子辐照%质子辐照%缺陷
砷化鎵%正電子壽命%電子輻照%質子輻照%缺陷
신화가%정전자수명%전자복조%질자복조%결함
用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10～300 K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.
用正電子壽命譜技術研究瞭重摻Te的GaSb原生樣品、電子輻照樣品和質子輻照樣品.室溫正電子壽命測量揭示齣原生重摻Te的GaSb樣品中存在VGa相關缺陷,其壽命大小約為298 ps.電子輻照會使該缺陷髮生變化,導緻平均壽命值減小,VGa相關缺陷從-3價變為-2價.質子輻照後,產生瞭壽命值較大的缺陷.在10～300 K變溫實驗中,觀測到3種樣品都存在淺捕穫缺陷,該淺捕穫缺陷是GaSb反位缺陷.
용정전자수명보기술연구료중참Te적GaSb원생양품、전자복조양품화질자복조양품.실온정전자수명측량게시출원생중참Te적GaSb양품중존재VGa상관결함,기수명대소약위298 ps.전자복조회사해결함발생변화,도치평균수명치감소,VGa상관결함종-3개변위-2개.질자복조후,산생료수명치교대적결함.재10～300 K변온실험중,관측도3충양품도존재천포획결함,해천포획결함시GaSb반위결함.
