用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料
용분자속외연기술재GaAs(110)츤저상생장AlGaAs재료
Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 9期 1411-1414 ,共4页

    刘林生%王文新%刘肃%赵宏鸣%刘宝利%蒋中伟%高汉超%王佳%黄庆安%陈弘%周均铭

    류림생%왕문신%류숙%조굉명%류보리%장중위%고한초%왕가%황경안%진홍%주균명

    分子束外延%砷化镓衬底%铝镓砷材料 分子束外延%砷化鎵襯底%鋁鎵砷材料
    분자속외연%신화가츤저%려가신재료
    采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
    채용분자속외연기술재GaAs(110)츤저상제비료일계렬생장온도화As2/Ga속류등효압강비불동적양품,통과실온광치발광보、고분변X사선연사의화저온광치발광보대저사양품진행료분석,조도료재GaAs(110)츤저상생장고질량고Al조분적Al0.4Ga0.6As생장조건.
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