稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
z1期
928-930
,共3页
杨陈%樊慧庆%焦岗成%惠迎雪
楊陳%樊慧慶%焦崗成%惠迎雪
양진%번혜경%초강성%혜영설
La2O3薄膜%等离子辅助电子束蒸发%薄膜结构%I-V特性%透过率
La2O3薄膜%等離子輔助電子束蒸髮%薄膜結構%I-V特性%透過率
La2O3박막%등리자보조전자속증발%박막결구%I-V특성%투과솔
采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜.随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1 h.实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向.对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右.
採用等離子輔助電子束蒸髮,在Si(100)襯底上沉積La2O3薄膜.隨後對非晶的沉積態薄膜在750℃和900℃分彆退火1 h.實驗結果錶明,採用等離子輔助電子束蒸髮,可以穫得非晶態的La2O3薄膜;經750℃熱處理後,薄膜部分晶化;經900℃熱處理後,薄膜顯著晶化,晶粒呎吋明顯增大,併沿(002)方嚮擇優取嚮.對薄膜I-V特性的測量結果錶明,沉積態薄膜具有較小的漏電流,但隨著熱處理溫度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏電流逐漸增大;對薄膜透過率的測量結果錶明,單麵拋光的Si襯底上沉積La2O3薄膜,在近紅外範圍內有明顯的增透效果,最大可達20%左右.
채용등리자보조전자속증발,재Si(100)츤저상침적La2O3박막.수후대비정적침적태박막재750℃화900℃분별퇴화1 h.실험결과표명,채용등리자보조전자속증발,가이획득비정태적La2O3박막;경750℃열처리후,박막부분정화;경900℃열처리후,박막현저정화,정립척촌명현증대,병연(002)방향택우취향.대박막I-V특성적측량결과표명,침적태박막구유교소적루전류,단수착열처리온도승고,박막정화정도제고,박막루전류축점증대;대박막투과솔적측량결과표명,단면포광적Si츤저상침적La2O3박막,재근홍외범위내유명현적증투효과,최대가체20%좌우.
