半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
893-897
,共5页
AlInGaN%极化电场%自发发射谱%垒材料
AlInGaN%極化電場%自髮髮射譜%壘材料
AlInGaN%겁화전장%자발발사보%루재료
采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.
採用k·p方法理論,攷慮瞭極化電場和自由載流子重新分佈等因素,通過薛定諤方程和泊鬆方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱導帶和價帶的能帶結構,併由此計算瞭不同量子阱結構的自髮髮射譜.分析對比髮現AlInGaN材料特有的自髮極化和壓電極化效應在阱壘界麵處形成的極化電荷對量子阱髮光特性有重要的影響.以AlInGaN為壘,優化其中各元素的組分可以減小極化電場的影響,提高量子阱自髮髮射譜彊度.同時,綜閤攷慮瞭極化電荷和勢壘高度的影響,提齣瞭具體的優化方法,併給予瞭物理解釋.
채용k·p방법이론,고필료겁화전장화자유재류자중신분포등인소,통과설정악방정화박송방정자흡구해득도InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN양자정도대화개대적능대결구,병유차계산료불동양자정결구적자발발사보.분석대비발현AlInGaN재료특유적자발겁화화압전겁화효응재정루계면처형성적겁화전하대양자정발광특성유중요적영향.이AlInGaN위루,우화기중각원소적조분가이감소겁화전장적영향,제고양자정자발발사보강도.동시,종합고필료겁화전하화세루고도적영향,제출료구체적우화방법,병급여료물리해석.
