半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
60-64
,共5页
张群社%陈治明%李留臣%杨峰%蒲红斌%封先锋
張群社%陳治明%李留臣%楊峰%蒲紅斌%封先鋒
장군사%진치명%리류신%양봉%포홍빈%봉선봉
PVT法%SiC粉源%温度场%空隙率
PVT法%SiC粉源%溫度場%空隙率
PVT법%SiC분원%온도장%공극솔
研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.
研究瞭SiC粉料的空隙率對晶體生長的影響.分析比較瞭噹粉料取不同空隙率時粉料中以及生長腔內溫度分佈的異同,併結閤實驗研究瞭生長腔內等溫線的不同形狀和生長晶體錶麵形貌之間的關繫.數值計算和實驗結果均錶明,生長腔內等溫線的形狀直接決定著生長晶體的錶麵形貌;粉源內較大的空隙率有利于粉的有效升華和晶體的穩定生長.
연구료SiC분료적공극솔대정체생장적영향.분석비교료당분료취불동공극솔시분료중이급생장강내온도분포적이동,병결합실험연구료생장강내등온선적불동형상화생장정체표면형모지간적관계.수치계산화실험결과균표명,생장강내등온선적형상직접결정착생장정체적표면형모;분원내교대적공극솔유리우분적유효승화화정체적은정생장.
