企业技术开发（学术版）
企業技術開髮（學術版）
기업기술개발（학술판）
TECHNOLOGICAL DEVELOPMENT OF ENTERPRISE
2007年
1期
15-17,63
,共4页
LTO2制式磁头%各向异性磁致电阻磁头%读写错误率%Viterbi Distance
LTO2製式磁頭%各嚮異性磁緻電阻磁頭%讀寫錯誤率%Viterbi Distance
LTO2제식자두%각향이성자치전조자두%독사착오솔%Viterbi Distance
LTO2制式磁头是一种用于服务器的磁带机上的数据记录磁头,为各向异性磁致电阻磁头(AMR),通过对磁头的关键参数进行设计,如磁致电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度,以及它们与屏蔽层的距离,并优化这些参数的组合,获得了良好的性能,磁头的读写错误率(Error Rate)、Viterbi Distance(VD)等关键测试参数均能满足要求.目前,该磁头已批量生产.
LTO2製式磁頭是一種用于服務器的磁帶機上的數據記錄磁頭,為各嚮異性磁緻電阻磁頭(AMR),通過對磁頭的關鍵參數進行設計,如磁緻電阻材料NiFe和偏轉磁場材料CoZrMo的厚度,以及它們與屏蔽層的距離,併優化這些參數的組閤,穫得瞭良好的性能,磁頭的讀寫錯誤率(Error Rate)、Viterbi Distance(VD)等關鍵測試參數均能滿足要求.目前,該磁頭已批量生產.
LTO2제식자두시일충용우복무기적자대궤상적수거기록자두,위각향이성자치전조자두(AMR),통과대자두적관건삼수진행설계,여자치전조재료NiFe화편전자장재료CoZrMo적후도,이급타문여병폐층적거리,병우화저사삼수적조합,획득료량호적성능,자두적독사착오솔(Error Rate)、Viterbi Distance(VD)등관건측시삼수균능만족요구.목전,해자두이비량생산.
