固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
1期
20-24,48
,共6页
金属-氧化物-半导体场效应晶体管%可靠性%热载流子效应%衬底正向偏置
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%可靠性%熱載流子效應%襯底正嚮偏置
금속-양화물-반도체장효응정체관%가고성%열재류자효응%츤저정향편치
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-MOS器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响.实验发现衬底正偏压对沟长1.135 μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长1.25 μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强.分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断Si-SiO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-MOS器件线性漏电流的退化.
研究瞭不同溝道和柵氧化層厚度的n-MOS器件在襯底正偏壓的VG=VD/2熱載流子應力下,由于襯底正偏壓的不同對器件線性漏電流退化的影響.實驗髮現襯底正偏壓對溝長1.135 μm,柵氧化層厚度2.5 nm器件的線性漏電流退化的影響比溝長1.25 μm,柵氧化層厚度5 nm器件更彊.分析結果錶明,隨著器件溝長繼續縮短和柵氧化層減薄,由于襯底正偏置導緻的閾值電壓減小、增彊的寄生NPN晶體管效應、溝道熱電子與踫撞電離空穴複閤所產生的高能光子以及熱電子直接隧穿超薄柵氧化層產生的高能光子可能打斷Si-SiO2界麵的弱鍵產生界麵陷阱,加速n-MOS器件線性漏電流的退化.
연구료불동구도화책양화층후도적n-MOS기건재츤저정편압적VG=VD/2열재류자응력하,유우츤저정편압적불동대기건선성루전류퇴화적영향.실험발현츤저정편압대구장1.135 μm,책양화층후도2.5 nm기건적선성루전류퇴화적영향비구장1.25 μm,책양화층후도5 nm기건경강.분석결과표명,수착기건구장계속축단화책양화층감박,유우츤저정편치도치적역치전압감소、증강적기생NPN정체관효응、구도열전자여팽당전리공혈복합소산생적고능광자이급열전자직접수천초박책양화층산생적고능광자가능타단Si-SiO2계면적약건산생계면함정,가속n-MOS기건선성루전류적퇴화.
