DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性
DRT MC SOI LIGBT기건표이구신결구적가실현성
Primary Exploration on Realizability of New Structures in Thinned Drift Region of DRT MC SOI LIGBT
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2006年 1期 18-21 ,共4页

    张海鹏%邱晓军%胡晓萍%沈世龙%杨宝%岳亚富

    장해붕%구효군%호효평%침세룡%양보%악아부

    SOI%LIGBT%减薄漂移区%新结构%可实现性 SOI%LIGBT%減薄漂移區%新結構%可實現性
    SOI%LIGBT%감박표이구%신결구%가실현성
    简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并提出了面向智能Power ICs应用的同心圆环源漏互包SOI LIGBT结构,及其迄待研究的主要问题与部分解决措施.
    간개료감박표이구다구도SOI LIGBT결구추형,근거선진VLSI공예조연결과토론료감박표이구신형미결구적가실현성,제출료가능실현적삼충표면미결구급기공예실현방법;지출료저충기건추형결구존재적궤개주요문제,유침대성지탐토료개진조시,병제출료면향지능Power ICs응용적동심원배원루호포SOI LIGBT결구,급기흘대연구적주요문제여부분해결조시.
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