电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
8期
20-22
,共3页
毛旭%陈长青%周祯来%杨宇%吴兴惠
毛旭%陳長青%週禎來%楊宇%吳興惠
모욱%진장청%주정래%양우%오흥혜
半导体技术%SiC薄膜%μc-SiC%磁控溅射%拉曼光谱
半導體技術%SiC薄膜%μc-SiC%磁控濺射%拉曼光譜
반도체기술%SiC박막%μc-SiC%자공천사%랍만광보
用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析.结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜.并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善.
用射頻磁控濺射法在Si(100)和玻璃襯底上製備齣襯底溫度分彆為300,450,600℃的碳化硅薄膜,併對薄膜進行瞭拉曼光譜和原子力顯微鏡測試分析.結果錶明,用濺射法在玻璃襯底上生長齣微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)襯底上生長齣立方碳化硅(β-SiC)薄膜.併且薄膜材料的結晶度隨著襯底溫度的升高而改善.
용사빈자공천사법재Si(100)화파리츤저상제비출츤저온도분별위300,450,600℃적탄화규박막,병대박막진행료랍만광보화원자력현미경측시분석.결과표명,용천사법재파리츤저상생장출미정SiC(μc-SiC)박막화재Si(100)츤저상생장출립방탄화규(β-SiC)박막.병차박막재료적결정도수착츤저온도적승고이개선.
