半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
1979-1982
,共4页
时军朋%温振超%宋长安%陈殷%彭应全
時軍朋%溫振超%宋長安%陳慇%彭應全
시군붕%온진초%송장안%진은%팽응전
八羟基喹啉锌%开关特性%X射线衍射%I-Ⅴ特性曲线
八羥基喹啉鋅%開關特性%X射線衍射%I-Ⅴ特性麯線
팔간기규람자%개관특성%X사선연사%I-Ⅴ특성곡선
介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.
介紹瞭八羥基喹啉鋅(Znq2)有機薄膜及器件的製備方法.X射線衍射譜指齣,用真空蒸髮方法製備的Znq2薄膜呈非晶態結構;通過對Znq2有機薄膜I-Ⅴ麯線的分析,揭示瞭Znq2薄膜的開關特性.基于分子在電場作用下的空間取嚮的變化,對這一現象提齣瞭一種可能的理論解釋.
개소료팔간기규람자(Znq2)유궤박막급기건적제비방법.X사선연사보지출,용진공증발방법제비적Znq2박막정비정태결구;통과대Znq2유궤박막I-Ⅴ곡선적분석,게시료Znq2박막적개관특성.기우분자재전장작용하적공간취향적변화,대저일현상제출료일충가능적이론해석.
