APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性
APCVD방법제비SnO2박막적결구화광치발광특성
Photoluminescence of SnO2 films prepared by APCVD
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 z1期 1199-1200,1204 ,共3页

    计峰%马瑾%王玉恒%余旭浒%宗福建%程传福%马洪磊

    계봉%마근%왕옥항%여욱호%종복건%정전복%마홍뢰

    APCVD%氧化锡薄膜%光致发光 APCVD%氧化錫薄膜%光緻髮光
    APCVD%양화석박막%광치발광
    采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
    채용상압화학기상침적법(APCVD)재파리츤저상제비출SnO2박막,대박막적결구화광치발광성질급퇴화처리대박막결구화발광특성적영향진행료연구.제비SnO2박막위륙각금홍석결구,최대정립척촌약위1000nm.실온광치발광(PL)보측량표명,재396nm처존재강적발광봉.연구료퇴화처리대발광성질적영향,병대복사궤리진행료탐색.
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