低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2003年
z1期
77-81
,共5页
杨德林%孙宏巍%卢红霞%郭益群%李新建%胡行
楊德林%孫宏巍%盧紅霞%郭益群%李新建%鬍行
양덕림%손굉외%로홍하%곽익군%리신건%호행
二硼化镁%氧化反应%氧化镁晶须%活化能
二硼化鎂%氧化反應%氧化鎂晶鬚%活化能
이붕화미%양화반응%양화미정수%활화능
用热重法(TG)、X光衍射(XRD)和带能谱的扫描电镜(SEM-EDS)研究了MgB2在空气气氛中从室温到1000℃的热稳定性和氧化情况.实验表明在400℃ MgB2开始发生氧化,在700℃以上氧化强烈.实验表明MgB2的氧化是一比较复杂的过程,同时存在Mg和B的蒸发及MgO的形成,另外蒸发的Mg和O的反应可在晶粒表面形成直径为几十纳米左右,长几个微米的MgO晶须,生长的MgO晶须的形状受环境的很大影响.用Freemen- Carroll法和多个升温速率法估算了MgB2的氧化活化能在80kJ/mol左右,表明MgB2是一较易氧化的化合物.
用熱重法(TG)、X光衍射(XRD)和帶能譜的掃描電鏡(SEM-EDS)研究瞭MgB2在空氣氣氛中從室溫到1000℃的熱穩定性和氧化情況.實驗錶明在400℃ MgB2開始髮生氧化,在700℃以上氧化彊烈.實驗錶明MgB2的氧化是一比較複雜的過程,同時存在Mg和B的蒸髮及MgO的形成,另外蒸髮的Mg和O的反應可在晶粒錶麵形成直徑為幾十納米左右,長幾箇微米的MgO晶鬚,生長的MgO晶鬚的形狀受環境的很大影響.用Freemen- Carroll法和多箇升溫速率法估算瞭MgB2的氧化活化能在80kJ/mol左右,錶明MgB2是一較易氧化的化閤物.
용열중법(TG)、X광연사(XRD)화대능보적소묘전경(SEM-EDS)연구료MgB2재공기기분중종실온도1000℃적열은정성화양화정황.실험표명재400℃ MgB2개시발생양화,재700℃이상양화강렬.실험표명MgB2적양화시일비교복잡적과정,동시존재Mg화B적증발급MgO적형성,령외증발적Mg화O적반응가재정립표면형성직경위궤십납미좌우,장궤개미미적MgO정수,생장적MgO정수적형상수배경적흔대영향.용Freemen- Carroll법화다개승온속솔법고산료MgB2적양화활화능재80kJ/mol좌우,표명MgB2시일교역양화적화합물.
