西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2003年
3期
302-305
,共4页
范隆%郝跃%严荣良%陆妩
範隆%郝躍%嚴榮良%陸嫵
범륭%학약%엄영량%륙무
X光激发电子能谱%Si3N4%SiO2/Si%Si过渡态%电离辐照%偏置
X光激髮電子能譜%Si3N4%SiO2/Si%Si過渡態%電離輻照%偏置
X광격발전자능보%Si3N4%SiO2/Si%Si과도태%전리복조%편치
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
採用氬離子刻蝕X光激髮電子能譜分析方法對Si3N4/SiO2/Si複閤柵介質繫統進行電離輻照剖析.實驗結果錶明存在一箇由Si3N4和SiO2構成的界麵區及由SiO2和Si構成的界麵區,電離輻照能將SiO2/Si界麵區中心嚮Si3N4/SiO2界麵方嚮推移,同時SiO2/Si界麵區亦被電離輻照展寬;電離輻照相噹程度地減少位于SiO2/Si界麵至Si襯底之間Si過渡態的濃度.在同樣偏置電場中輻照,隨著輻照劑量的增加SiO2/Si界麵區中Si過渡態鍵的斷開量也增加,同時輻照中所施偏置電場對SiO2/Si界麵區Si過渡態鍵斷開有顯著作用.併對實驗現象進行瞭機製分析.
채용아리자각식X광격발전자능보분석방법대Si3N4/SiO2/Si복합책개질계통진행전리복조부석.실험결과표명존재일개유Si3N4화SiO2구성적계면구급유SiO2화Si구성적계면구,전리복조능장SiO2/Si계면구중심향Si3N4/SiO2계면방향추이,동시SiO2/Si계면구역피전리복조전관;전리복조상당정도지감소위우SiO2/Si계면지Si츤저지간Si과도태적농도.재동양편치전장중복조,수착복조제량적증가SiO2/Si계면구중Si과도태건적단개량야증가,동시복조중소시편치전장대SiO2/Si계면구Si과도태건단개유현저작용.병대실험현상진행료궤제분석.
