固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
4期
448-452
,共5页
冯耀兰%宋安飞%张海鹏%樊路加
馮耀蘭%宋安飛%張海鵬%樊路加
풍요란%송안비%장해붕%번로가
宽温区%金属-氧化物-半导体场效应晶体管%反型层%载流子迁移率
寬溫區%金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%反型層%載流子遷移率
관온구%금속-양화물-반도체장효응정체관%반형층%재류자천이솔
首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出了利用线性区I-V特性方程测定宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的方法,并给出了测试结果.
首先介紹瞭寬溫區(27～300°C) MOSFET的閾值電壓、洩漏電流和漏源電流的特點以及載流子遷移率的高溫模型;進而給齣瞭室溫下MOSFET反型層載流子遷移率的測定方法,最後提齣瞭利用線性區I-V特性方程測定寬溫區MOSFET反型層載流子遷移率的方法,併給齣瞭測試結果.
수선개소료관온구(27～300°C) MOSFET적역치전압、설루전류화루원전류적특점이급재류자천이솔적고온모형;진이급출료실온하MOSFET반형층재류자천이솔적측정방법,최후제출료이용선성구I-V특성방정측정관온구MOSFET반형층재류자천이솔적방법,병급출료측시결과.
