中国科学B辑
中國科學B輯
중국과학B집
SCIENCE IN CHINA (SERIES B)
2001年
1期
67-71
,共5页
超高密度存储 气化 焦耳热 TEA(TCNQ)2
超高密度存儲 氣化 焦耳熱 TEA(TCNQ)2
초고밀도존저 기화 초이열 TEA(TCNQ)2
以扫描探针显微镜(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年来信息存储领域的热点研究之一.其基本原理是利用SPM针尖诱导存储介质表面形貌变化、导电性质改变、电荷分离等来记录信息.提出利用STM隧道电流的焦耳热效应诱导材料发生气化分解的热化学烧孔模式的STM存储新原理,并在电荷转移复合物TEA(TCNQ)2上成功地得到大面积信息孔阵列.空洞大小均一,最小直径约8nm.该存储模式有明显的优点:由于STM隧道电流波及范围很小,只要存储材料的导热性不是很好,则气化分解局限于非常小的范围,从原理上保证了存储的超高密度;写入可靠率非常高,达到99%以上;存储材料具有可设计性,易于优化材料的存储性能.
以掃描探針顯微鏡(SPM)為基礎的超高密度信息存儲是近年來信息存儲領域的熱點研究之一.其基本原理是利用SPM針尖誘導存儲介質錶麵形貌變化、導電性質改變、電荷分離等來記錄信息.提齣利用STM隧道電流的焦耳熱效應誘導材料髮生氣化分解的熱化學燒孔模式的STM存儲新原理,併在電荷轉移複閤物TEA(TCNQ)2上成功地得到大麵積信息孔陣列.空洞大小均一,最小直徑約8nm.該存儲模式有明顯的優點:由于STM隧道電流波及範圍很小,隻要存儲材料的導熱性不是很好,則氣化分解跼限于非常小的範圍,從原理上保證瞭存儲的超高密度;寫入可靠率非常高,達到99%以上;存儲材料具有可設計性,易于優化材料的存儲性能.
이소묘탐침현미경(SPM)위기출적초고밀도신식존저시근년래신식존저영역적열점연구지일.기기본원리시이용SPM침첨유도존저개질표면형모변화、도전성질개변、전하분리등래기록신식.제출이용STM수도전류적초이열효응유도재료발생기화분해적열화학소공모식적STM존저신원리,병재전하전이복합물TEA(TCNQ)2상성공지득도대면적신식공진렬.공동대소균일,최소직경약8nm.해존저모식유명현적우점:유우STM수도전류파급범위흔소,지요존저재료적도열성불시흔호,칙기화분해국한우비상소적범위,종원리상보증료존저적초고밀도;사입가고솔비상고,체도99%이상;존저재료구유가설계성,역우우화재료적존저성능.
