材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2000年
9期
66-68
,共3页
王振平%赵俊斌%李勇%章士瀛
王振平%趙俊斌%李勇%章士瀛
왕진평%조준빈%리용%장사영
表面层型%晶界层型%半导化(还原)%再氧化
錶麵層型%晶界層型%半導化(還原)%再氧化
표면층형%정계층형%반도화(환원)%재양화
表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技术及其产业化的突破.重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理.本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等.
錶麵層型半導體陶瓷電容器的開髮成功,是我國新型元件領域中的一項高新技術及其產業化的突破.重點介紹瞭錶麵層型半導體陶瓷電容器的基本結構和原理.本項目開髮創新成果:隧道式氣氛燒結組閤爐,還原氣氛的穫取,半導化及再氧化技術,工程中設計參數及氧化層厚度觀察及量測技術等.
표면층형반도체도자전용기적개발성공,시아국신형원건영역중적일항고신기술급기산업화적돌파.중점개소료표면층형반도체도자전용기적기본결구화원리.본항목개발창신성과:수도식기분소결조합로,환원기분적획취,반도화급재양화기술,공정중설계삼수급양화층후도관찰급량측기술등.
