物理学报
物理學報
물이학보
2000年
3期
532-537
,共6页
何贤昶%沈荷生%张志明%万永中%沈挺
何賢昶%瀋荷生%張誌明%萬永中%瀋挺
하현창%침하생%장지명%만영중%침정
采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的β-SiC.傅里叶红外光谱证实β-SiC层的存在.微俄歇谱表明在这种方式下,850℃下即生成密集的与硅的三个〈001〉方向平行的碳化硅单晶晶粒. 接着用甲烷代替六甲基二硅胺烷作为碳源,在其上继续施加负偏压处理和CVD生长.微俄歇谱表明小正方形渐渐变成大正方形,其成分也从含硅碳变成只含碳.微喇曼谱证实了这一变化过程中的相结构从立方碳化硅变成金刚石.这一生长过程中对应的定向关系为金刚石〈001 〉∥β-SiC〈001〉∥硅〈001〉.
採用無毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氫氣在硅(001)單晶上用施加負偏壓處理和化學汽相沉積(CVD)方法預沉積定嚮的β-SiC.傅裏葉紅外光譜證實β-SiC層的存在.微俄歇譜錶明在這種方式下,850℃下即生成密集的與硅的三箇〈001〉方嚮平行的碳化硅單晶晶粒. 接著用甲烷代替六甲基二硅胺烷作為碳源,在其上繼續施加負偏壓處理和CVD生長.微俄歇譜錶明小正方形漸漸變成大正方形,其成分也從含硅碳變成隻含碳.微喇曼譜證實瞭這一變化過程中的相結構從立方碳化硅變成金剛石.這一生長過程中對應的定嚮關繫為金剛石〈001 〉∥β-SiC〈001〉∥硅〈001〉.
채용무독、불역연적륙갑기이규알완화경기재규(001)단정상용시가부편압처리화화학기상침적(CVD)방법예침적정향적β-SiC.부리협홍외광보증실β-SiC층적존재.미아헐보표명재저충방식하,850℃하즉생성밀집적여규적삼개〈001〉방향평행적탄화규단정정립. 접착용갑완대체륙갑기이규알완작위탄원,재기상계속시가부편압처리화CVD생장.미아헐보표명소정방형점점변성대정방형,기성분야종함규탄변성지함탄.미나만보증실료저일변화과정중적상결구종립방탄화규변성금강석.저일생장과정중대응적정향관계위금강석〈001 〉∥β-SiC〈001〉∥규〈001〉.
