发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2000年
3期
190-195
,共6页
任国浩%沈定中%刘光煜%倪海洪%李泽逵%殷之文
任國浩%瀋定中%劉光煜%倪海洪%李澤逵%慇之文
임국호%침정중%류광욱%예해홍%리택규%은지문
氟化铅%Tb离子%掺杂%发光
氟化鉛%Tb離子%摻雜%髮光
불화연%Tb리자%참잡%발광
用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅(PbF2∶Tb)晶体,掺杂浓度从0.008at.%至0.6at.%.在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱,发现该晶体在X-射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光.PbF2∶Tb晶体的光吸收起源于Tb3+离子的4f-4f跃迁,而其光发射则源于Tb3+离子的电子分别从其激发态5D3和5D4能级跃迁到基态7FJ(J=6,5,4,3,2).荧光强度随掺杂浓度的提高而提高,当Tb3+离子浓度较低时,以5D3→7FJ跃迁发射为主,当Tb3+离子浓度较高时,则以5D4→7FJ跃迁发射为主.在同一晶体中,发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变,反映出Tb3+离子在PbF2晶体中的分布具有分凝系数大于1的特征.推测Tb3+离子在PbF2晶体中占据Pb格位,同时产生间隙F-离子缺陷来平衡电价.
用非真空Bridgman方法製備瞭摻有Tb雜質的氟化鉛(PbF2∶Tb)晶體,摻雜濃度從0.008at.%至0.6at.%.在室溫下測量瞭該晶體的吸收和髮射光譜,髮現該晶體在X-射線和紫外線激髮下均能夠髮齣比較彊的熒光.PbF2∶Tb晶體的光吸收起源于Tb3+離子的4f-4f躍遷,而其光髮射則源于Tb3+離子的電子分彆從其激髮態5D3和5D4能級躍遷到基態7FJ(J=6,5,4,3,2).熒光彊度隨摻雜濃度的提高而提高,噹Tb3+離子濃度較低時,以5D3→7FJ躍遷髮射為主,噹Tb3+離子濃度較高時,則以5D4→7FJ躍遷髮射為主.在同一晶體中,髮光彊度隨中心所佔晶格位置的改變而改變,反映齣Tb3+離子在PbF2晶體中的分佈具有分凝繫數大于1的特徵.推測Tb3+離子在PbF2晶體中佔據Pb格位,同時產生間隙F-離子缺陷來平衡電價.
용비진공Bridgman방법제비료참유Tb잡질적불화연(PbF2∶Tb)정체,참잡농도종0.008at.%지0.6at.%.재실온하측량료해정체적흡수화발사광보,발현해정체재X-사선화자외선격발하균능구발출비교강적형광.PbF2∶Tb정체적광흡수기원우Tb3+리자적4f-4f약천,이기광발사칙원우Tb3+리자적전자분별종기격발태5D3화5D4능급약천도기태7FJ(J=6,5,4,3,2).형광강도수참잡농도적제고이제고,당Tb3+리자농도교저시,이5D3→7FJ약천발사위주,당Tb3+리자농도교고시,칙이5D4→7FJ약천발사위주.재동일정체중,발광강도수중심소점정격위치적개변이개변,반영출Tb3+리자재PbF2정체중적분포구유분응계수대우1적특정.추측Tb3+리자재PbF2정체중점거Pb격위,동시산생간극F-리자결함래평형전개.