物理学报
物理學報
물이학보
2003年
1期
211-216
,共6页
SiC%Schottky结%反向特性%隧穿电流
SiC%Schottky結%反嚮特性%隧穿電流
SiC%Schottky결%반향특성%수천전류
对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的.
對Ti/6H-SiC Schottky結的反嚮特性進行瞭測試和理論分析,提齣瞭一種綜閤的包括SiC Schottky結主要反嚮漏電流產生機理的反嚮隧穿電流模型,該模型攷慮瞭Schottky勢壘不均勻性、Ti/SiC界麵層電壓降和鏡像力對SiC Schottky結反嚮特性的影響,模擬結果和測量值的相符說明瞭以上所攷慮因素是引起SiC Schottky結反嚮漏電流高于常規計算值的主要原因.分析結果錶明在一般工作條件下SiC Schottky結的反嚮特性主要是由場髮射和熱電子場髮射電流決定的.
대Ti/6H-SiC Schottky결적반향특성진행료측시화이론분석,제출료일충종합적포괄SiC Schottky결주요반향루전유산생궤리적반향수천전류모형,해모형고필료Schottky세루불균균성、Ti/SiC계면층전압강화경상력대SiC Schottky결반향특성적영향,모의결과화측량치적상부설명료이상소고필인소시인기SiC Schottky결반향루전류고우상규계산치적주요원인.분석결과표명재일반공작조건하SiC Schottky결적반향특성주요시유장발사화열전자장발사전류결정적.
