半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
1期
49-53
,共5页
余学功%杨德仁%杨建松%马向阳%李立本%阙端麟
餘學功%楊德仁%楊建鬆%馬嚮暘%李立本%闕耑麟
여학공%양덕인%양건송%마향양%리립본%궐단린
掺氮%直拉硅%原生氧沉淀
摻氮%直拉硅%原生氧沉澱
참담%직랍규%원생양침정
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是大不相同的,经过高温一步退火后,在氧化诱生层错环(OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷(voids)区,而经过低-高温两步退火后,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区.由此可得,在晶体生长过程中,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布.并在此基础上讨论了在大直径NCZ硅中掺N影响原生氧沉淀的机理.
研究瞭在大直徑直拉硅單晶中摻氮(N)對原生氧沉澱的影響.通過高溫一步退火(1050℃)和低-高溫兩步退火(800℃+1050℃)髮現在摻N直拉(NCZ)硅中氧沉澱的行為與一般直拉(CZ)硅是大不相同的,經過高溫一步退火後,在氧化誘生層錯環(OSF-ring)區氧沉澱的量要小于空洞型缺陷(voids)區,而經過低-高溫兩步退火後,OSF-ring區的氧沉澱量要遠遠大于voids區.由此可得,在晶體生長過程中,N通過改變硅晶體中空位的濃度及其分佈從而改變原生氧沉澱的呎吋和分佈.併在此基礎上討論瞭在大直徑NCZ硅中摻N影響原生氧沉澱的機理.
연구료재대직경직랍규단정중참담(N)대원생양침정적영향.통과고온일보퇴화(1050℃)화저-고온량보퇴화(800℃+1050℃)발현재참N직랍(NCZ)규중양침정적행위여일반직랍(CZ)규시대불상동적,경과고온일보퇴화후,재양화유생층착배(OSF-ring)구양침정적량요소우공동형결함(voids)구,이경과저-고온량보퇴화후,OSF-ring구적양침정량요원원대우voids구.유차가득,재정체생장과정중,N통과개변규정체중공위적농도급기분포종이개변원생양침정적척촌화분포.병재차기출상토론료재대직경NCZ규중참N영향원생양침정적궤리.
