半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
10期
74-77
,共4页
闫发旺%张文俊%张荣桂%崔立奇%梁春广%刘式墉
閆髮旺%張文俊%張榮桂%崔立奇%樑春廣%劉式墉
염발왕%장문준%장영계%최립기%량춘엄%류식용
分子束外延%高面指数%量子线陈列
分子束外延%高麵指數%量子線陳列
분자속외연%고면지수%양자선진렬
利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构.
利用分子束外延(MBE)技術在高麵指數(553)B GaA s襯底上自組織生長瞭應變Ga0.85In0.15As/GaAs量子線陣列結構.通過原子力顯微鏡(AFM)對Ga0.85In0.15A s外延層的錶麵形貌進行瞭觀測.測試結果錶明量子線的密度高達4×105/cm.研究瞭量子線陣列樣品的低溫偏振光緻髮光譜(PPL),髮現其髮光峰半高寬(FWHM)最小為9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可達0.22,這些測試結果錶明製備齣瞭高密度、高均勻性及特性良好的一維量子線陣列結構.
이용분자속외연(MBE)기술재고면지수(553)B GaA s츤저상자조직생장료응변Ga0.85In0.15As/GaAs양자선진렬결구.통과원자력현미경(AFM)대Ga0.85In0.15A s외연층적표면형모진행료관측.측시결과표명양자선적밀도고체4×105/cm.연구료양자선진렬양품적저온편진광치발광보(PPL),발현기발광봉반고관(FWHM)최소위9.2 MeV,최대편진도p[ (I -I )/(I +I)]가체0.22,저사측시결과표명제비출료고밀도、고균균성급특성량호적일유양자선진렬결구.
