半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
9期
1135-1138
,共4页
王桂珍%张正选%姜景和%罗尹虹
王桂珍%張正選%薑景和%囉尹虹
왕계진%장정선%강경화%라윤홍
复合模型%逃逸产额%阻止本领%Columnar模型
複閤模型%逃逸產額%阻止本領%Columnar模型
복합모형%도일산액%조지본령%Columnar모형
用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.
用一種比較簡單的Jaffe近似方法計算瞭質子在SiO2中的電子空穴對的逃逸率,討論瞭輻照偏置、電場、質子入射角度、質子能量等對逃逸產額的影響.得到瞭電子空穴對複閤逃逸率與質子能量、電場成正比的結果.計算結果與實驗結果的比較,說明瞭Jaffe近似方法可以比較正確地描述質子在二氧化硅中的總劑量效應.
용일충비교간단적Jaffe근사방법계산료질자재SiO2중적전자공혈대적도일솔,토론료복조편치、전장、질자입사각도、질자능량등대도일산액적영향.득도료전자공혈대복합도일솔여질자능량、전장성정비적결과.계산결과여실험결과적비교,설명료Jaffe근사방법가이비교정학지묘술질자재이양화규중적총제량효응.
