微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2001年
1期
22-25
,共4页
张涛%宋教花%张荟星%张孝吉%汤宝寅%朱剑%Monteiro O R%Brown I G
張濤%宋教花%張薈星%張孝吉%湯寶寅%硃劍%Monteiro O R%Brown I G
장도%송교화%장회성%장효길%탕보인%주검%Monteiro O R%Brown I G
金属离子注入%MEVVA%MEPIII
金屬離子註入%MEVVA%MEPIII
금속리자주입%MEVVA%MEPIII
金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处，也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅，RBS方法分析注入层，并对两种注入技术予以比较。
金屬等離子體浸沒註入(MEPIII)技術與金屬蒸氣真空弧(MEVVA)源註入技術有相同之處，也有各自不同的特點。採用兩種方法進行鈦離子註入硅，RBS方法分析註入層，併對兩種註入技術予以比較。
금속등리자체침몰주입(MEPIII)기술여금속증기진공호(MEVVA)원주입기술유상동지처，야유각자불동적특점。채용량충방법진행태리자주입규，RBS방법분석주입층，병대량충주입기술여이비교。
MEVVA ion implantation is similar to metal plasma immersion ionimplan tation. The Ti ion implantation into silicon substrat was conducted with the two ion implantation configurations. The RBS was used to analyze the implanted layers and two techniques were compared.
