应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究
응변층InGaAsP양자정격광기결구적조제광보연구
Photoreflectance study of strained InGaAsP quantum-well laser structure
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2003年 3期 11-13,32 ,共4页

    金鹏%李成明%张子旸%孟宪权%徐波%刘峰奇%王占国%李乙钢%张存洲%潘士宏

    금붕%리성명%장자양%맹헌권%서파%류봉기%왕점국%리을강%장존주%반사굉

    InGaAsP 量子阱激光器%调制光谱%Franz-Keldysh振荡 InGaAsP 量子阱激光器%調製光譜%Franz-Keldysh振盪
    InGaAsP 양자정격광기%조제광보%Franz-Keldysh진탕
    利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In0.758Ga0.242As0.83P0.17与In0.758Ga0.242As0.525P0.475四元合金应变界面的导带不连续性.
    이용광조제반사보(PR)대1.55 μm응변층InGaAsP삼양자정격광기결구진행료연구,재양품적파도층관찰도료Franz-Keldysh진탕.이용Bastard포락함수방법화Kane모형종이론상계산료해응변층InGaAsP사원합금삼양자정내전자화공혈적능급화약천능량,계산결과여실험수거부합득흔호,득도료In0.758Ga0.242As0.83P0.17여In0.758Ga0.242As0.525P0.475사원합금응변계면적도대불련속성.
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