人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
4期
714-719
,共6页
刘昌龙%尹立军%吕依颖%阮永丰%E.Ntsoenzok%D.Alquier
劉昌龍%尹立軍%呂依穎%阮永豐%E.Ntsoenzok%D.Alquier
류창룡%윤립군%려의영%원영봉%E.Ntsoenzok%D.Alquier
单晶Si%He离子注入%高温退火%He空腔%透射电子显微镜
單晶Si%He離子註入%高溫退火%He空腔%透射電子顯微鏡
단정Si%He리자주입%고온퇴화%He공강%투사전자현미경
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.
40、160和1550 keV能量的He離子在室溫下註入單晶Si樣品到相同的劑量5×1016 ions/cm2,採用透射電子顯微鏡(TEM)研究瞭800℃退火1h在Si中引起的損傷形貌.結果錶明,三種能量的He離子註入Si併經高溫退火均能產生空腔,但空腔的形貌、呎吋以及分佈深度都依賴于離子的能量.結閤TRIM程序計算結果對空腔和其它缺陷產生對He離子能量的依賴性進行瞭討論.
40、160화1550 keV능량적He리자재실온하주입단정Si양품도상동적제량5×1016 ions/cm2,채용투사전자현미경(TEM)연구료800℃퇴화1h재Si중인기적손상형모.결과표명,삼충능량적He리자주입Si병경고온퇴화균능산생공강,단공강적형모、척촌이급분포심도도의뢰우리자적능량.결합TRIM정서계산결과대공강화기타결함산생대He리자능량적의뢰성진행료토론.
