半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
12期
915-919
,共5页
宁敏东%熊中朝%李天超%傅和平%张栓记
寧敏東%熊中朝%李天超%傅和平%張栓記
저민동%웅중조%리천초%부화평%장전기
竞争冒险%产生条件%演变过程%抑制设置
競爭冒險%產生條件%縯變過程%抑製設置
경쟁모험%산생조건%연변과정%억제설치
在10 Hz～1 MHz TTL信号下,提出竞争冒险的产生与信号频率无关.时间延迟大则干扰脉冲幅度大,时间延迟与干扰脉冲宽度大致相等,不同期的干扰脉冲幅度不等、状态不同.时间延迟、过渡时间、逻辑关系和延迟信号相位要素,构成竞争冒险的产生条件.竞争冒险的演变过程经历萌生期、发展期和成熟期,成熟期竞争冒险具有极大危害性.建议抑制竞争冒险措施从电路第四级门开始设置.
在10 Hz～1 MHz TTL信號下,提齣競爭冒險的產生與信號頻率無關.時間延遲大則榦擾脈遲幅度大,時間延遲與榦擾脈遲寬度大緻相等,不同期的榦擾脈遲幅度不等、狀態不同.時間延遲、過渡時間、邏輯關繫和延遲信號相位要素,構成競爭冒險的產生條件.競爭冒險的縯變過程經歷萌生期、髮展期和成熟期,成熟期競爭冒險具有極大危害性.建議抑製競爭冒險措施從電路第四級門開始設置.
재10 Hz～1 MHz TTL신호하,제출경쟁모험적산생여신호빈솔무관.시간연지대칙간우맥충폭도대,시간연지여간우맥충관도대치상등,불동기적간우맥충폭도불등、상태불동.시간연지、과도시간、라집관계화연지신호상위요소,구성경쟁모험적산생조건.경쟁모험적연변과정경력맹생기、발전기화성숙기,성숙기경쟁모험구유겁대위해성.건의억제경쟁모험조시종전로제사급문개시설치.
