半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
9期
1635-1639
,共5页
宋颖娉%郭霞%艾伟伟%周跃平%沈光地
宋穎娉%郭霞%艾偉偉%週躍平%瀋光地
송영빙%곽하%애위위%주약평%침광지
两步刻蚀法%GaN-LED%刻蚀损伤%PL特性%Ⅰ-Ⅴ特性
兩步刻蝕法%GaN-LED%刻蝕損傷%PL特性%Ⅰ-Ⅴ特性
량보각식법%GaN-LED%각식손상%PL특성%Ⅰ-Ⅴ특성
通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.
通過實驗方法找齣瞭去損傷刻蝕的最佳工藝參數,併研究瞭利用ICP兩步刻蝕法去除刻蝕損傷的實驗過程及結果.從實驗結果可以看齣,噹ICP功率為750W時,刻蝕引入的損傷最小,刻蝕引起的損傷層厚度最大為25nm.去損傷刻蝕法能有效去除損傷,使採用兩步刻蝕法的髮光二極管的正嚮導通電壓與反嚮漏電流均下降,髮光亮度增大,非輻射複閤比例減小,器件的髮光效率和可靠性均得到瞭提高.
통과실험방법조출료거손상각식적최가공예삼수,병연구료이용ICP량보각식법거제각식손상적실험과정급결과.종실험결과가이간출,당ICP공솔위750W시,각식인입적손상최소,각식인기적손상층후도최대위25nm.거손상각식법능유효거제손상,사채용량보각식법적발광이겁관적정향도통전압여반향루전류균하강,발광량도증대,비복사복합비례감소,기건적발광효솔화가고성균득도료제고.
