半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
3期
410-413
,共4页
孤子相互作用%初始频率移动%最大传输距离%孤子相对间隔%数值模拟
孤子相互作用%初始頻率移動%最大傳輸距離%孤子相對間隔%數值模擬
고자상호작용%초시빈솔이동%최대전수거리%고자상대간격%수치모의
介绍了一种基于孤子初始载波频移抑制孤子相互作用的方法.通过分析,发现孤子串最外层的两个孤子受相互作用影响最大,提出将孤子串中最外层的两个孤子进行初始的频率移动,较好地抑制了孤子相互作用.分析了频移量对传输距离的影响,结果表明对于具体的系统,存在最佳频移量.
介紹瞭一種基于孤子初始載波頻移抑製孤子相互作用的方法.通過分析,髮現孤子串最外層的兩箇孤子受相互作用影響最大,提齣將孤子串中最外層的兩箇孤子進行初始的頻率移動,較好地抑製瞭孤子相互作用.分析瞭頻移量對傳輸距離的影響,結果錶明對于具體的繫統,存在最佳頻移量.
개소료일충기우고자초시재파빈이억제고자상호작용적방법.통과분석,발현고자천최외층적량개고자수상호작용영향최대,제출장고자천중최외층적량개고자진행초시적빈솔이동,교호지억제료고자상호작용.분석료빈이량대전수거리적영향,결과표명대우구체적계통,존재최가빈이량.
