电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
10期
35-39
,共5页
高净%潘国峰%张东岭%刘玉岭%王娜
高淨%潘國峰%張東嶺%劉玉嶺%王娜
고정%반국봉%장동령%류옥령%왕나
气敏传感器%sol-gel法%TiO2厚膜%灵敏度%退火温度
氣敏傳感器%sol-gel法%TiO2厚膜%靈敏度%退火溫度
기민전감기%sol-gel법%TiO2후막%령민도%퇴화온도
利用钛酸丁酯与无水乙醇的水解反应制备了纳米TiO2厚膜,并对其进行了不同含量的ZnO掺杂和不同温度的退火.通过XRD和SEM对所制备的ZnO-TiO2纳米粉的物相结构和表面微观形貌进行了表征,利用气敏元件测试系统对用其制备的气敏元件的气敏特性进行了检测,研究了ZnO的掺杂量和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响,并对TiO2厚膜的气敏机理进行了讨论.结果表明:ZnO的掺杂有效地抑制了TiO2晶粒的生长,于700℃退火、w(ZnO)=4％的ZnO-TiO2的结晶粒径为15.9 nm,其对氨水蒸气的最高灵敏度达到9 354左右,响应和恢复时间均为1s.
利用鈦痠丁酯與無水乙醇的水解反應製備瞭納米TiO2厚膜,併對其進行瞭不同含量的ZnO摻雜和不同溫度的退火.通過XRD和SEM對所製備的ZnO-TiO2納米粉的物相結構和錶麵微觀形貌進行瞭錶徵,利用氣敏元件測試繫統對用其製備的氣敏元件的氣敏特性進行瞭檢測,研究瞭ZnO的摻雜量和退火溫度對TiO2厚膜氣敏性能的影響,併對TiO2厚膜的氣敏機理進行瞭討論.結果錶明:ZnO的摻雜有效地抑製瞭TiO2晶粒的生長,于700℃退火、w(ZnO)=4％的ZnO-TiO2的結晶粒徑為15.9 nm,其對氨水蒸氣的最高靈敏度達到9 354左右,響應和恢複時間均為1s.
이용태산정지여무수을순적수해반응제비료납미TiO2후막,병대기진행료불동함량적ZnO참잡화불동온도적퇴화.통과XRD화SEM대소제비적ZnO-TiO2납미분적물상결구화표면미관형모진행료표정,이용기민원건측시계통대용기제비적기민원건적기민특성진행료검측,연구료ZnO적참잡량화퇴화온도대TiO2후막기민성능적영향,병대TiO2후막적기민궤리진행료토론.결과표명:ZnO적참잡유효지억제료TiO2정립적생장,우700℃퇴화、w(ZnO)=4％적ZnO-TiO2적결정립경위15.9 nm,기대안수증기적최고령민도체도9 354좌우,향응화회복시간균위1s.
